TSMC, cel mai mare producător contractual de produse semiconductoare, potrivit sursei, a început construcția unui complex de producție în care este planificat să stăpânească procesul tehnologic de 2 nanometri. Complexul include un centru de cercetare și dezvoltare și o unitate de producție. Noile facilități vor fi situate lângă sediul companiei din Hsinchu Science Park, Taiwan.
Conform datelor preliminare, tehnologia Gate-All-Around (GAA) va fi utilizată în procesul de 2 nanometri. În același timp, producătorul a început să planifice dezvoltarea unui proces tehnic de 1 nanometru.
Alături de tehnologiile de producție a cristalelor, compania își îmbunătățește tehnologiile de ambalare. Planifică să accelereze adoptarea tehnologiilor avansate de ambalare, cum ar fi SoIC, InFO, CoWoS și WoW. Toate sunt clasificate de TSMC drept 3D Fabric, deși unele dintre ele se referă la 2.5D. Aceste tehnologii vor fi puse în producție de masă pe liniile ZhuNan și NanKe în a doua jumătate a anului 2021.
Citeste si: