Producător japonez de cipuri Kioxia memorie flash dezvoltată NAND cu aproximativ 170 de straturi, alăturându-se omologul său american Micron Technology și SK Hynix din Coreea de Sud în dezvoltarea tehnologiilor avansate.
Noua memorie NAND a fost dezvoltată împreună cu un partener american Western Digital și poate înregistra date de două ori mai rapid decât produsul actual de top al Kioxia, care constă din 112 straturi.
Cunoscută anterior sub numele de Toshiba Memory, Kioxia intenționează să-și dezvăluie noul NAND la Conferința Internațională de Stat Solid, forumul global anual al industriei semiconductoarelor și intenționează să înceapă producția de masă încă de anul viitor.
Speră să răspundă cererii asociate centrelor de date și smartphone-urilor, deoarece răspândirea tehnologiilor wireless de generația a cincea duce la volume și viteze crescute de transmisie a datelor. Dar concurența în acest domeniu se intensifică deja: Micron și SK Hynix își anunță noile produse.
Kioxia a reușit, de asemenea, să integreze mai multe celule de memorie pe strat cu noul său NAND, ceea ce înseamnă că poate face cipuri cu 30% mai mici decât altele cu aceeași cantitate de memorie. Microcircuitele mai mici vor permite o mai mare flexibilitate în crearea de smartphone-uri, servere și alte produse.
Pentru a crește producția de memorie flash, Kioxia și Western Digital plănuiesc să înceapă în această primăvară construcția unei fabrici de 9,45 miliarde de dolari în Yokkaido, Japonia. Ele urmăresc să pună în funcțiune primele linii încă din 2022.
Citeste si: