companie Samsung Electronics a anunțat începerea producției în masă a primului sistem monocristal de pe piață System-on-Chip (SoC, citeste detaliile aici) pe procesul FinFET de 10 nm.

10 nanometri sunt deja pe piață

„Prima soluție serială de pe piață bazată pe procesul FinFET de 10 nm confirmă liderul nostru în dezvoltarea tehnologiilor avansate”, a declarat Yeon Shi-yun, vicepreședinte executiv, șeful diviziei de producție de semiconductori. Samsung Electronică. - Vom continua să depunem toate eforturile pentru a crea tehnologii inovatoare scalabile și pentru a oferi utilizatorilor soluții complexe diferențiate.”

Procesor nou Samsung FinFET de 10 nm (10LPE) are o structură 3D avansată a tranzistorului. Tehnologia operațională și designul său au fost îmbunătățite în comparație cu versiunea anterioară de 14 nm, care oferă o eficiență specifică a suprafeței cu 30% mai mare, o creștere cu 40% a performanței și o reducere cu 40% a consumului de energie. Pentru a elimina limitările de scalare, noua soluție folosește cea mai recentă soluție tehnică – structurarea triplă. Oferă rutare bidirecțională pentru a menține o mai mare flexibilitate în proiectare și rutare în comparație cu modelele anterioare.

Mai devreme Samsung a prezentat prima generație de soluții bazate pe procesul tehnologic de 10 nm (10LPE). A doua generație (10LPP) a îmbunătățit performanța, începerea producției sale în masă este programată pentru a doua jumătate a anului 2017.

În strânsă colaborare cu partenerii Samsung de asemenea, intenționează să creeze un ecosistem de semiconductor funcțional care va combina instrumente de verificare a fluxului de referință, IP și biblioteci. Un PDK și un kit de dezvoltare IP sunt disponibile în prezent pentru a lansa arhitectura.

Sistemul SoC de 10 nm va fi utilizat în dispozitivele digitale de la începutul anului viitor. Este de așteptat ca acestea să devină disponibile pentru consumatorul de masă în cursul anului 2017. Puteți afla mai multe despre companie on-line.