E de asteptat Samsung va anunța săptămâna viitoare începerea producției în masă a cipurilor de 3 nm, relatează Yonhap News. Acest lucru pune compania înaintea TSMC, care este de așteptat să înceapă producția de cipuri de 3 nm în a doua jumătate a acestui an.
În comparație cu procesul de 5 nm (care a fost folosit pentru Snapdragon 888 și Exynos 2100), nodul de 3 nm al Samsung va reduce zona cu 35%, va crește performanța cu 30% și va reduce consumul de energie cu 50%.
Acest lucru va fi realizat prin trecerea la designul tranzistorului Gate-All-Around (GAA). Este următorul pas după FinFET, deoarece permite reducerea dimensiunii tranzistorilor fără a compromite capacitatea acestora de a conduce curentul. Designul GAAFET utilizat pe nodul de 3 nm este prezentat în figura de mai jos.
Președintele american Joe Biden a vizitat fabrica luna trecută Samsung în Pyeongtaek pentru a participa la o demonstrație a tehnologiei 3nm Samsung. Anul trecut, au existat zvonuri că compania ar putea investi 10 miliarde de dolari în construirea unei turnătorii de 3 nm în Texas. Aceste investiții au crescut la 17 miliarde de dolari.Uzina este de așteptat să înceapă să funcționeze în 2024.
În orice caz, cea mai mare îngrijorare la crearea unui nod nou este de ieșire. În octombrie anul trecut Samsung a declarat că performanța procesului de 3 nm „se apropie de același nivel ca procesul de 4 nm”. Deși compania nu a prezentat cifre oficiale, analiștii consideră că nodul de 4 nm Samsung a fost asociată cu probleme de producție.
Un nod de 3 nm de a doua generație este așteptat în 2023, iar foaia de parcurs a companiei include și un nod bazat pe MBCFET de 2 nm în 2025.
Poți ajuta Ucraina să lupte împotriva invadatorilor ruși. Cel mai bun mod de a face acest lucru este să donați fonduri Forțelor Armate ale Ucrainei prin intermediul Salveaza viata sau prin pagina oficiala NBU.
Citeste si:
Lasă un comentariu